[3149個在庫]
- 品番:
- FQPF5N60C_F105
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- INTEGRATED CIRCUIT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQPF5N60C_F105 electronic components. FQPF5N60C_F105 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF5N60C_F105, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQPF5N60C_F105 製品の属性
品番 :
FQPF5N60C_F105
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
INTEGRATED CIRCUIT
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.5 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
670pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
33W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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