Infineon Technologies - IDP40E65D2XKSA1

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品番:
IDP40E65D2XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP40E65D2XKSA1 製品の属性

品番 : IDP40E65D2XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 40A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.3V @ 40A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 40µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 175°C

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