NGTB40N120FL2WG 価格設定（USD） [16790個在庫]
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- 品番:
- NGTB40N120FL2WG
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 80A 535W TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NGTB40N120FL2WG electronic components. NGTB40N120FL2WG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB40N120FL2WG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTB40N120FL2WG 製品の属性
品番 :
NGTB40N120FL2WG
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 1200V 80A 535W TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
80A
電流-パルスコレクター（Icm） :
200A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.4V @ 15V, 40A
パワー-最大 :
535W
スイッチングエネルギー :
3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
313nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
116ns/286ns
試験条件 :
600V, 40A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
240ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
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