STW36N60M6 価格設定（USD） [14843個在庫]
- 1 pcs$2.61335
- 10 pcs$2.33307
- 100 pcs$1.91303
- 500 pcs$1.54909
- 1,000 pcs$1.30646
- 品番:
- STW36N60M6
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STW36N60M6 electronic components. STW36N60M6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW36N60M6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STW36N60M6 製品の属性
品番 :
STW36N60M6
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
シリーズ :
MDmesh™ M6
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.75V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
44.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1960pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
208W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
パッケージ/ケース :
TO-247-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PHD66NQ03LT,118
- BSC079N03SG
- AO4443L
- FQPF10N60C_F105
- NDD60N745U1T4G
- SIRA34DP-T1-GE3
- JANTXV2N6764T1
- RJK6013DPE-00#J3
- SUP70N03-09BP-E3
- AON7432
- SUP45N03-13L-E3
- IPD60R450E6BTMA1
- IPB80N04S2L03ATMA1
- IRLR8503TRLPBF
- IRFR3710ZTRRPBF
- IXFX180N085
- SPD08P06P
- IRLM110ATF
- IRF644NPBF
- IRFC4227EB
- FDMC0310AS-F127
- BSC205N10LS G
- IRLZ44ZL
- IXTP76N075T
- IPW65R080CFDFKSA1
- IRF3315STRR
- IRL630S
- BUK95150-55A,127
- IRF640
- SIHB21N65EF-GE3
- IPP076N15N5AKSA1
- IPP60R280P7XKSA1
- SIE810DF-T1-E3
- IRF100S201
- IPI072N10N3GXKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- IPB80N04S304ATMA1
- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3