Infineon Technologies - IRFB42N20D

KEY Part #: K6413808

[12973個在庫]


    品番:
    IRFB42N20D
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRFB42N20D electronic components. IRFB42N20D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB42N20D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFB42N20D 製品の属性

    品番 : IRFB42N20D
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 44A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 55 mOhm @ 26A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 140nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3430pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 2.4W (Ta), 330W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

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