NXP USA Inc. - PH16030L,115

KEY Part #: K6400160

[3493個在庫]


    品番:
    PH16030L,115
    メーカー:
    NXP USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 38A LFPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in NXP USA Inc. PH16030L,115 electronic components. PH16030L,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PH16030L,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PH16030L,115 製品の属性

    品番 : PH16030L,115
    メーカー : NXP USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 30V 38A LFPAK
    シリーズ : TrenchMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 38A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16.9 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.2nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±15V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 680pF @ 12V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 41.6W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK56, Power-SO8
    パッケージ/ケース : SC-100, SOT-669

    あなたも興味があるかもしれません
    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • IRFIZ48GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRLI630GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP.

    • PMG370XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP.

    • PMN35EN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP.