ON Semiconductor - ISL9R860S3ST

KEY Part #: K6442701

ISL9R860S3ST 価格設定(USD) [102147個在庫]

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品番:
ISL9R860S3ST
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A 600V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ISL9R860S3ST 製品の属性

品番 : ISL9R860S3ST
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
シリーズ : Stealth™
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.4V @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB (D²PAK)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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