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- 品番:
- FQB32N12V2TM
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQB32N12V2TM electronic components. FQB32N12V2TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB32N12V2TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB32N12V2TM 製品の属性
品番 :
FQB32N12V2TM
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
120V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1860pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.75W (Ta), 150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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