APT45GP120J 価格設定（USD） [2629個在庫]
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- 品番:
- APT45GP120J
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 75A 329W SOT227.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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APT45GP120J 製品の属性
品番 :
APT45GP120J
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
IGBT 1200V 75A 329W SOT227
シリーズ :
POWER MOS 7®
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
PT
構成 :
Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
75A
パワー-最大 :
329W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3.9V @ 15V, 45A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500µA
入力容量（Cies）@ Vce :
3.94nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
ISOTOP
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOTOP®
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