Vishay Siliconix - SIHH14N60E-T1-GE3

KEY Part #: K6418007

SIHH14N60E-T1-GE3 価格設定(USD) [48426個在庫]

  • 1 pcs$0.81146
  • 3,000 pcs$0.80742

品番:
SIHH14N60E-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH14N60E-T1-GE3 electronic components. SIHH14N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH14N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH14N60E-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIHH14N60E-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 255 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1416pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 147W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IPA50R199CPXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3.

  • IRFI7536GPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 103A TO220.