Rohm Semiconductor - RGTH60TS65DGC11

KEY Part #: K6422519

RGTH60TS65DGC11 価格設定(USD) [28253個在庫]

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品番:
RGTH60TS65DGC11
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 650V 58A 194W TO-247N.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGTH60TS65DGC11 製品の属性

品番 : RGTH60TS65DGC11
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : IGBT 650V 58A 194W TO-247N
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 58A
電流-パルスコレクター(Icm) : 120A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 30A
パワー-最大 : 194W
スイッチングエネルギー : -
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 58nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 27ns/105ns
試験条件 : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 58ns
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247N

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