DMN63D8LW-7 価格設定（USD） [2015113個在庫]
- 1 pcs$0.01836
- 3,000 pcs$0.01701
- 品番:
- DMN63D8LW-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN63D8LW-7 electronic components. DMN63D8LW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN63D8LW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN63D8LW-7 製品の属性
品番 :
DMN63D8LW-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
380mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
23.2pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-323
パッケージ/ケース :
SC-70, SOT-323
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IXFM10N90
- AOT416L_001
- AON4407L
- SPI12N50C3HKSA1
- GP1M012A060H
- NVD4809NT4G
- UPA2735GR-E1-AT
- BSB017N03LX3 G
- IPD053N06N3GBTMA1
- IRFH5104TRPBF
- BSS308PEL6327HTSA1
- FDD6770A
- IRF7703TRPBF
- AOL1428
- IXFH13N100
- HAT2267H-EL-E
- HUF76645P3
- HUF75842S3S
- FQPF3N80CYDTU
- ZVP2110ASTOA
- GP2M002A060CG
- MTD6P10E
- SPB80N06S2-07
- IRFR9014NTRR
- IRFPC50LC
- IRL640
- IRFB9N65A
- IRFZ14
- STB5N52K3
- IPP100N12S305AKSA1
- AOV11S60
- IPS70R360P7SAKMA1
- NVMFS5C426NWFAFT3G
- BUK7Y2R0-40HX
- TK8A50D(STA4,Q,M)
- RCD050N20TL
- IPD50P04P413ATMA1
- IPD30N06S223ATMA2
- IRFR024NTRLPBF
- NX7002BKVL