STMicroelectronics - STL12N65M2

KEY Part #: K6396912

STL12N65M2 価格設定(USD) [88343個在庫]

  • 1 pcs$0.44260
  • 3,000 pcs$0.39240

品番:
STL12N65M2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STL12N65M2 electronic components. STL12N65M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL12N65M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL12N65M2 製品の属性

品番 : STL12N65M2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56
シリーズ : MDmesh™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 750 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 410pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 48W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerFlat™ (5x6) HV
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • IRFR220NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

  • IRLR3410PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • FDD390N15ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3.

  • STT6N3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6.

  • STFW20N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF.

  • STFW12N120K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF.