STMicroelectronics - STGW30M65DF2

KEY Part #: K6422693

STGW30M65DF2 価格設定(USD) [24938個在庫]

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品番:
STGW30M65DF2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGW30M65DF2 製品の属性

品番 : STGW30M65DF2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 60A
電流-パルスコレクター(Icm) : 120A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2V @ 15V, 30A
パワー-最大 : 258W
スイッチングエネルギー : 300µJ (on), 960µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 80nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 31.6ns/115ns
試験条件 : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 140ns
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247