Microsemi Corporation - JANTXV1N6625US

KEY Part #: K6448504

JANTXV1N6625US 価格設定（USD） [4051個在庫]

1 pcs$10.69324

品番:: JANTXV1N6625US

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A. Rectifiers Rectifier

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6625US electronic components. JANTXV1N6625US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6625US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JANTXV1N6625US 製品の属性

品番 : JANTXV1N6625US

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/585

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1100V

電流-平均整流（Io） : 1A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.75V @ 1A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 60ns

電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 1100V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : SQ-MELF, A

サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

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