STMicroelectronics - STW14NM50

KEY Part #: K6415870

[12261個在庫]


    品番:
    STW14NM50
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 550V 14A TO-247.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics STW14NM50 electronic components. STW14NM50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW14NM50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STW14NM50 製品の属性

    品番 : STW14NM50
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 550V 14A TO-247
    シリーズ : MDmesh™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 550V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 350 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1000pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 175W (Tc)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3
    パッケージ/ケース : TO-247-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • FQD12P10TM-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK.

    • FDD6635

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 35V 15A DPAK.

    • RFD16N06LESM9A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 16A DPAK.

    • FQD4P40TM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK.

    • IRLI520NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP.

    • IRLI2910PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP.