APT66M60B2 価格設定（USD） [5363個在庫]
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- 品番:
- APT66M60B2
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT66M60B2 electronic components. APT66M60B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT66M60B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT66M60B2 製品の属性
品番 :
APT66M60B2
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
70A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
330nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
13190pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1135W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース :
TO-247-3 Variant
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