SSM6J501NU,LF 価格設定（USD） [699747個在庫]
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- 品番:
- SSM6J501NU,LF
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU,LF electronic components. SSM6J501NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J501NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6J501NU,LF 製品の属性
品番 :
SSM6J501NU,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
シリーズ :
U-MOSVI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
15.3 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
29.9nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2600pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-UDFNB (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
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