[4643個在庫]
- 品番:
- SI6562DQ-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI6562DQ-T1-E3 electronic components. SI6562DQ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6562DQ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI6562DQ-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI6562DQ-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
600mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSSOP
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