SF1004GHC0G 価格設定（USD） [334003個在庫]
- 1 pcs$0.11074
- 品番:
- SF1004GHC0G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SF1004GHC0G electronic components. SF1004GHC0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SF1004GHC0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SF1004GHC0G 製品の属性
品番 :
SF1004GHC0G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
10A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
975mV @ 5A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
70pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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