IXYS Integrated Circuits Division - IXDN609SIA

KEY Part #: K1225289

IXDN609SIA 価格設定(USD) [128057個在庫]

  • 1 pcs$0.33889
  • 1,000 pcs$0.33720

品番:
IXDN609SIA
メーカー:
IXYS Integrated Circuits Division
詳細な説明:
IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC. Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、PMIC-熱管理, ロジック-FIFOメモリ, ロジック-ゲートとインバーター, PMIC-現在の規制/管理, インターフェース-エンコーダー、デコーダー、コンバーター, PMIC-電源管理-専門, PMIC-レーザードライバー and 組み込み-PLD(プログラマブルロジックデバイス)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS Integrated Circuits Division IXDN609SIA electronic components. IXDN609SIA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXDN609SIA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXDN609SIA 製品の属性

品番 : IXDN609SIA
メーカー : IXYS Integrated Circuits Division
説明 : IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
駆動構成 : Low-Side
チャンネルタイプ : Single
ドライバー数 : 1
門型 : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧-供給 : 4.5V ~ 35V
ロジック電圧-VIL、VIH : 0.8V, 3V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) : 9A, 9A
入力方式 : Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) : -
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) : 22ns, 15ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

あなたも興味があるかもしれません
  • SIP41101DQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    IC DRIVER MOSF N-CH DCDC 16TSSOP.

  • MIC4126YMME

    Microchip Technology

    IC DRIVER MOSFET 1.5A DUAL 8MSOP. Gate Drivers 1.5A Dual High Speed MOSFET Driver with Low Thermal Impedance

  • UCC27325DGNRG4

    Texas Instruments

    IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8MSOP.

  • UCC37324DGNRG4

    Texas Instruments

    IC DUAL HS PWR FET DRIVER 8MSOP.

  • UCC27525DGNR

    Texas Instruments

    IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8MSOP. Gate Drivers Dual,5A,Hi-Spd Low- Side Pwr MOSFET Drvr

  • UCC27524DGNR

    Texas Instruments

    IC GATE DRVR LOW SIDE DL 8MSOP. Gate Drivers Dual,5A,Hi-Spd Lo- Side Pwr MOSFET Drvr