説明 :
IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
6V, 9.6V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
6A, 6A
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
25ns, 17ns
動作温度 :
-40°C ~ 125°C (TA)
パッケージ/ケース :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
16-SOIC