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- 品番:
- HIP2101EIBT
- 詳細な説明:
- IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、PMIC-パワーオーバーイーサネット（PoE）コントローラー, 組み込み-PLD（プログラマブルロジックデバイス）, PMIC-V / FおよびF / Vコンバーター, PMIC-バッテリー充電器, PMIC-電圧レギュレータ-特別な目的, ロジック-マルチバイブレーター, PMIC-電圧レギュレータ-DC DCスイッチングコントローラー and インターフェース-音声録音と再生を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America Inc. HIP2101EIBT electronic components. HIP2101EIBT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HIP2101EIBT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HIP2101EIBT 製品の属性
品番 :
HIP2101EIBT
メーカー :
Renesas Electronics America Inc.
説明 :
IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
駆動構成 :
Half-Bridge
チャンネルタイプ :
Independent
ドライバー数 :
2
門型 :
N-Channel MOSFET
電圧-供給 :
9V ~ 14V
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 2.2V
電流-ピーク出力（ソース、シンク） :
2A, 2A
入力方式 :
Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大（ブートストラップ） :
114V
立ち上がり/立ち下がり時間（標準） :
10ns, 10ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC-EP
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