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Microsemi Corporation - JANTXV1N5806

KEY Part #: K6433650

JANTXV1N5806 価格設定（USD） [6290個在庫]

  • 1 pcs$6.55167
  • 139 pcs$5.96654
品番:
JANTXV1N5806
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 150V HRV 2FFTV
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5806 electronic components. JANTXV1N5806 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5806, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5806 製品の属性

品番 : JANTXV1N5806
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 150V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 875mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 25ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : 25pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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