AIHD04N60RFATMA1 価格設定（USD） [139363個在庫]
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- 2,500 pcs$0.23189
- 品番:
- AIHD04N60RFATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IC DISCRETE 600V TO252-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies AIHD04N60RFATMA1 electronic components. AIHD04N60RFATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AIHD04N60RFATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AIHD04N60RFATMA1 製品の属性
品番 :
AIHD04N60RFATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC DISCRETE 600V TO252-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
8A
電流-パルスコレクター（Icm） :
12A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.5V @ 15V, 4A
パワー-最大 :
75W
スイッチングエネルギー :
60µJ (on), 50µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
27nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
12ns/116ns
試験条件 :
400V, 4A, 43 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3-313
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