Toshiba Semiconductor and Storage - CES521,L3F

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CES521,L3F 価格設定(USD) [3388457個在庫]

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品番:
CES521,L3F
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC. Schottky Diodes & Rectifiers SM Sig Schotky Diode 30 VR 0.2A 1 Circuit
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CES521,L3F 製品の属性

品番 : CES521,L3F
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
電流-平均整流(Io) : 200mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 500mV @ 200mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 30µA @ 30V
静電容量@ Vr、F : 26pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-79, SOD-523
サプライヤーデバイスパッケージ : ESC
動作温度-ジャンクション : 125°C (Max)

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