BSM75GAL120DN2HOSA1 価格設定（USD） [1189個在庫]
- 1 pcs$36.38434
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSM75GAL120DN2HOSA1 electronic components. BSM75GAL120DN2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM75GAL120DN2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM75GAL120DN2HOSA1 製品の属性
品番 :
BSM75GAL120DN2HOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
IGBTタイプ :
-
構成 :
Single Switch
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
105A
パワー-最大 :
625W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3V @ 15V, 75A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1.4mA
入力容量（Cies）@ Vce :
5.5nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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