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ON Semiconductor - NTLJS1102PTBG

KEY Part #: K6407677

[890個在庫]

    品番:
    NTLJS1102PTBG
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTLJS1102PTBG electronic components. NTLJS1102PTBG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLJS1102PTBG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTLJS1102PTBG 製品の属性

    品番 : NTLJS1102PTBG
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 8V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.7A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.2V, 4.5V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 720mV @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 25nC @ 4.5V
    Vgs（最大） : ±6V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1585pF @ 4V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 700mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 6-WDFN (2x2)
    パッケージ/ケース : 6-WDFN Exposed Pad

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