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ON Semiconductor - NTD85N02RT4G

KEY Part #: K6406960

[8633個在庫]

    品番:
    NTD85N02RT4G
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 24V 12A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTD85N02RT4G electronic components. NTD85N02RT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD85N02RT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTD85N02RT4G 製品の属性

    品番 : NTD85N02RT4G
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 24V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 12A (Ta), 85A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 5.2 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 17.7nC @ 5V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2050pF @ 20V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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