Taiwan Semiconductor Corporation - ES1GL R3G

KEY Part #: K6445396

ES1GL R3G 価格設定(USD) [941237個在庫]

  • 1 pcs$0.03930

品番:
ES1GL R3G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA. Rectifiers 1A, 400V, SUPER FAST SM RECTIFIER
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1GL R3G electronic components. ES1GL R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1GL R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1GL R3G 製品の属性

品番 : ES1GL R3G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 35ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 400V
静電容量@ Vr、F : 8pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : Sub SMA
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.

  • VS-80EPF06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC.

  • VS-60CPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC.