QS6U22TR 価格設定（USD） [443649個在庫]
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- 品番:
- QS6U22TR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor QS6U22TR electronic components. QS6U22TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QS6U22TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
QS6U22TR 製品の属性
品番 :
QS6U22TR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
215 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
270pF @ 10V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
1.25W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSMT6 (SC-95)
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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