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- 品番:
- GT50J121(Q)
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 50A 240W TO3P LH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121(Q) electronic components. GT50J121(Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GT50J121(Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GT50J121(Q) 製品の属性
品番 :
GT50J121(Q)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
50A
電流-パルスコレクター（Icm） :
100A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.45V @ 15V, 50A
パワー-最大 :
240W
スイッチングエネルギー :
1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
-
Td（オン/オフ）@ 25°C :
90ns/300ns
試験条件 :
300V, 50A, 13 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3PL
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P(LH)
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