NVMTS0D4N04CTXG 価格設定（USD） [32283個在庫]
- 1 pcs$1.27659
- 品番:
- NVMTS0D4N04CTXG
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- AFSM T6 40V SG NCH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMTS0D4N04CTXG electronic components. NVMTS0D4N04CTXG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMTS0D4N04CTXG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMTS0D4N04CTXG 製品の属性
品番 :
NVMTS0D4N04CTXG
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
AFSM T6 40V SG NCH
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
79.8A (Ta), 558A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
0.45 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
251nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
16500pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFNW (8.3x8.4)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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