Microsemi Corporation - APT75GP120B2G

KEY Part #: K6423229

APT75GP120B2G 価格設定(USD) [3409個在庫]

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  • 250 pcs$9.20937

品番:
APT75GP120B2G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GP120B2G 製品の属性

品番 : APT75GP120B2G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
シリーズ : POWER MOS 7®
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : PT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100A
電流-パルスコレクター(Icm) : 300A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.9V @ 15V, 75A
パワー-最大 : 1042W
スイッチングエネルギー : 1620µJ (on), 2500µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 320nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 20ns/163ns
試験条件 : 600V, 75A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant
サプライヤーデバイスパッケージ : -

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