EGF1CHE3_A/H 価格設定（USD） [460696個在庫]
- 1 pcs$0.08029
- 品番:
- EGF1CHE3_A/H
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA. Rectifiers 1A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1CHE3_A/H electronic components. EGF1CHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGF1CHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGF1CHE3_A/H 製品の属性
品番 :
EGF1CHE3_A/H
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
150V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 150V
静電容量@ Vr、F :
15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214BA
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214BA (GF1)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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ホットパーツ
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