HGTG30N60B3 価格設定（USD） [18018個在庫]
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- 450 pcs$1.55058
- 品番:
- HGTG30N60B3
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 60A 208W TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HGTG30N60B3 electronic components. HGTG30N60B3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTG30N60B3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGTG30N60B3 製品の属性
品番 :
HGTG30N60B3
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 60A 208W TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
60A
電流-パルスコレクター（Icm） :
220A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.9V @ 15V, 30A
パワー-最大 :
208W
スイッチングエネルギー :
500µJ (on), 680µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
170nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
36ns/137ns
試験条件 :
480V, 30A, 3 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
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