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- 品番:
- IRG8P50N120KDPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRG8P50N120KDPBF electronic components. IRG8P50N120KDPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG8P50N120KDPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG8P50N120KDPBF 製品の属性
品番 :
IRG8P50N120KDPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
80A
電流-パルスコレクター（Icm） :
105A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 35A
パワー-最大 :
350W
スイッチングエネルギー :
2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
315nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
35ns/190ns
試験条件 :
600V, 35A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
170ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AC
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