説明 :
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
200mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
4.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.5V @ 250mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
0.51nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
47pF @ 30V
消費電力(最大) :
300mW (Ta), 1.06W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3