JANTXV1N6630US 価格設定（USD） [3183個在庫]
- 1 pcs$13.60814
- 品番:
- JANTXV1N6630US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF. Rectifiers Rectifier
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6630US electronic components. JANTXV1N6630US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6630US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTXV1N6630US 製品の属性
品番 :
JANTXV1N6630US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/590
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1000V
電流-平均整流（Io） :
1.4A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.4V @ 1.4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, E
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5B
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 150°C
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