Infineon Technologies - F3L200R12N2H3B47BPSA1

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F3L200R12N2H3B47BPSA1 価格設定(USD) [430個在庫]

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品番:
F3L200R12N2H3B47BPSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
LOW POWER ECONO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L200R12N2H3B47BPSA1 製品の属性

品番 : F3L200R12N2H3B47BPSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : LOW POWER ECONO
シリーズ : *
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : -
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : -
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
パワー-最大 : -
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : -
電流-コレクターのカットオフ(最大) : -
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : -
NTCサーミスタ : -
動作温度 : -
取付タイプ : -
パッケージ/ケース : -
サプライヤーデバイスパッケージ : -