メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
12A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
37.6nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2700pF @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-UDFNB (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad