Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-31DQ09GTR

KEY Part #: K6442980

[2947個在庫]


    品番:
    VS-31DQ09GTR
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 90V 3.3A C16.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-31DQ09GTR 製品の属性

    品番 : VS-31DQ09GTR
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE SCHOTTKY 90V 3.3A C16
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 90V
    電流-平均整流(Io) : 3.3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 850mV @ 3A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 90V
    静電容量@ Vr、F : 110pF @ 5V, 1MHz
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : C-16
    動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

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