IRFH5302TRPBF 価格設定（USD） [186854個在庫]
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- 品番:
- IRFH5302TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH5302TRPBF electronic components. IRFH5302TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5302TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH5302TRPBF 製品の属性
品番 :
IRFH5302TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
76nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4400pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.6W (Ta), 100W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PQFN (5x6) Single Die
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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