IPL65R210CFDAUMA1 価格設定（USD） [57319個在庫]
- 1 pcs$0.68215
- 3,000 pcs$0.64520
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 4VSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPL65R210CFDAUMA1 electronic components. IPL65R210CFDAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL65R210CFDAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPL65R210CFDAUMA1 製品の属性
品番 :
IPL65R210CFDAUMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 4VSON
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
210 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 700µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1850pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
151W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-VSON-4
パッケージ/ケース :
4-PowerTSFN
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