[2016個在庫]
- 品番:
- BYC8B-600PQP
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 8A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. BYC8B-600PQP electronic components. BYC8B-600PQP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYC8B-600PQP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYC8B-600PQP 製品の属性
品番 :
BYC8B-600PQP
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 8A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
3.4V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
18ns
電流-Vrでの逆漏れ :
20µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
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