Taiwan Semiconductor Corporation - MBR1035HC0G

KEY Part #: K6429240

MBR1035HC0G 価格設定(USD) [300633個在庫]

  • 1 pcs$0.12303

品番:
MBR1035HC0G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR1035HC0G 製品の属性

品番 : MBR1035HC0G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 700mV @ 10A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 35V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AC
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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