[13092個在庫]
- 品番:
- BSC094N03S G
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC094N03S G electronic components. BSC094N03S G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC094N03S G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC094N03S G 製品の属性
品番 :
BSC094N03S G
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
14.6A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1800pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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