Toshiba Semiconductor and Storage - TK14C65W5,S1Q

KEY Part #: K6417628

TK14C65W5,S1Q 価格設定(USD) [36587個在庫]

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品番:
TK14C65W5,S1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK14C65W5,S1Q 製品の属性

品番 : TK14C65W5,S1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
シリーズ : DTMOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 300 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 690µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1300pF @ 300V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 130W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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