Infineon Technologies - IRG7CH37K10EF

KEY Part #: K6421862

IRG7CH37K10EF 価格設定(USD) [43035個在庫]

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品番:
IRG7CH37K10EF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT CHIP WAFER.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRG7CH37K10EF 製品の属性

品番 : IRG7CH37K10EF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT CHIP WAFER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 15A
電流-パルスコレクター(Icm) : -
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.3V @ 15V, 15A
パワー-最大 : -
スイッチングエネルギー : -
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 80nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 28ns/122ns
試験条件 : 600V, 15A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : -
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Die

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