ON Semiconductor - FGA6530WDF

KEY Part #: K6424853

FGA6530WDF 価格設定(USD) [39870個在庫]

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品番:
FGA6530WDF
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 650V 60A 176W TO3PN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA6530WDF 製品の属性

品番 : FGA6530WDF
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 650V 60A 176W TO3PN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 60A
電流-パルスコレクター(Icm) : 90A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.2V @ 15V, 30A
パワー-最大 : 176W
スイッチングエネルギー : 960µJ (on), 162µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 37.4nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 12ns/42.4ns
試験条件 : 400V, 30A, 6 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 81ns
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PN